AMD 神秘芯片 Gainsborough 曝光,业界推测为 Steam Deck 2 定制 APU
AMD 在 Adrenalin 26.9.2 驱动数据库中出现未知芯片代号 Gainsborough,海关记录显示其采用 BGA FF6 封装、1179 个触点,7 月底曾多次从亚洲发货。
AMD 在 Adrenalin 26.9.2 驱动数据库中出现未知芯片代号 Gainsborough,海关记录显示其采用 BGA FF6 封装、1179 个触点,7 月底曾多次从亚洲发货。
日本电力公司 JERA 与戴尔、主权 AI 基础设施开发商 RHAELM 签署谅解备忘录,将共同制定日本 AI 基础设施建设标准化框架。首个数据中心落地千叶县,设计容量 400MW,总投资预计超过 150 亿美元,Apollo 提供投融资支持。
Intel 获得一项美国专利,把带 MicroLED 的芯片裸片嵌入玻璃基板,并用 TGV 供电和传输信号,可发出 RGB 光。该技术可用于诊断测试和芯片表面定制灯效,也被视为共封装光学的一种替代集成路径。台厂 AU Optronics 有重叠路线图,其在 SEMICON Taiwan 2026 展示的 Micro LED 光通信目标互连距离达 10 米,面向 AI 数据中心。
QNAP 发布 QSW-M5218 系列 L3 Lite 管理型交换机,含 QSW-M5218-6F12T 与支持 PoE 的 QSW-M5218P-6F12T,配备 12 个 10GbE RJ45 端口和 6 个 25GbE SFP28 上行端口,交换容量最高 540 Gbps。
TrendForce 最新存储产业研究显示,4Q26 常规 DRAM 合约价预计环比上涨 10-15%,NAND Flash 整体合约价预计环比上涨 15-20%,AI 服务器需求是主要支撑。
据台湾《经济日报》报道,台积电计划在得州建设第二个美国制造基地,项目包含六座先进晶圆厂,最可能落地达拉斯,总投资或超过亚利桑那的 265 亿美元。路透社随后援引两名知情人士称,台积电确在评估得州投资,但计划尚未敲定,且将叠加在亚利桑那承诺之上。
三星电子与 ASML 宣布扩大长期战略合作,深化 High NA EUV 光刻与先进半导体制造技术协作。三星将加入推动下一代 12 英寸光罩技术的行业计划,取代沿用数十年的 6 英寸光罩格式,以提升晶圆厂产能、降低芯片制造成本并消除拼接限制。三星还计划在 2028 年前首次将 ASML 的 High NA EUV 引入 DRAM 大规模量产。
推荐理由:三星与 ASML 扩大 High NA EUV 合作并推动 12 英寸光罩,可了解先进制程与 DRAM 制造路线的下一步。