MIT 用二维材料 hBN 将超导量子比特密度提升 100 倍

MIT 研究人员利用二维绝缘体六方氮化硼（hBN）替代传统共面电容结构，将可集成到器件上的超导量子比特数量提升 100 倍，同时降低相邻量子比特间的串扰。该电容以 hBN 为绝缘层、二硒化铌为超导电极，约 90% 电场被约束在夹层结构内，使电容尺寸大幅缩小。团队下一步的挑战是 hBN 与二维超导体的晶圆级生长与堆叠。