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Semiconductor Engineering· Karthik Rangarajan·· 4 小时前AI 评分22

人形机器人边缘非易失性存储的挑战与需求

Memory At The Edge: Non-Volatile Memory Challenges And Requirements For Humanoid Robots

AI 导读

人形机器人从研究演示走向工厂、仓库和服务场景商用,其分布式边缘控制层对非易失性存储提出耐力、确定性延迟和掉电保持等要求。标准 Flash 与 EEPROM 存在 5 至 10 ms 页写入延迟,掉电或急停会导致位置日志断裂,重启后关节控制器丢失绝对坐标。紧凑关节壳体内温度可超 +100°C,加速电荷泄漏、缩短数据保持寿命,而 F-RAM 具备零写入延迟、100 万亿次写入耐力与抗 EMI 特性。

来源:Semiconductor Engineering · semiengineering.com